据国外媒体tgdaily报道，IBM及其合作伙伴们宣布将会率先进入22 nm工艺时代。消息称，IBM将会在2011年正式量产22nm芯片。如果情况属实的话，这将是最近几十年来IBM首次在制程上处于领先地位领先。

　　消息称，IBM所用的测试存储芯片SRAM(静态随机存储器)是业界首款用来测试22nm工艺的半导体芯片，由AMD、Freescale、IBM、东芝以及CNSE共同开发生产，采用传统的设计方式——在300 mm晶圆上设置6三极管。据称，该测试芯片的磁心存储匹元(memory cell)面积仅为0.1μm2，这方面与Intel 0.346 μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。

　　据了解，Intel曾经在去年9月份展示过业界首款32nm SRAM测试晶圆，而且旗下32nm CPU将会在本周的IDF论坛上正式亮相，不过事实上，Intel的22nm SRAM测试晶圆至今还是遥遥无期。

　　IBM对于自己的32nm制程技术同样信心十足，曾今许诺：“IBM的32nm high-K metal gate制程工艺非常先进，其他任何一家公司所无法比拟。”不过，与IBM对于其全新的32nm high-K metal gate技术守口如瓶不同，Intel其实已经于去年年底就开始利用high-K metal gate技术生产45nm Penryn了。

　　但是，尽管我们离22 nm以及32 nm芯片还有段时间，但是以目前的情况看，IBM以及AMD们在芯片制程工艺方面已经领先于Intel了，这也是最近几十年来头一次，看来芯片巨头们的竞赛越来越有趣了。